| 型号 | ANet-1E1SM | ANet-1E1SM-4G | ANet-1E1SM-4G/LR/K | ANet-1E2SM | ANet-1E2SM-4G | ANet-1E2SM-4G/LR/K |
| 电源电压 | 输入电压DC9-36V(标配AC220V电源适配器) |
| 处理器 | ARM9 主频804MHz |
| 内存 | 128M RAM内存 + 256M NAND Flash |
| 频率及功耗 | 50Hz(45~65Hz), 功耗≤10W |
| 安全性 | 工频耐压:电源和通信端子间历时1min:2kV |
| 环境 | 绝缘电阻:一般试验大气条件下,输入、输出端对机壳>100MΩ |
| 工作温度:-20℃~+55℃ 存储运输温度:-25℃~+70℃ |
| 相对湿度:≤95%(+25℃) 海拔高度:≤2500m |
| 安装类别:Ⅱ级,污染等级:2级,安装形式:35毫米导轨安装 |
| RJ45网口 | 1路 10/100M自适应 |
| RS485串口 | 1路光耦隔离(通讯波特率2400-115200) | 2 路光耦隔离(通讯波特率2400-115200) |
| 4G | / | 4G LTE Cat 1 频段: LTE-FDD:B1/B3/B5/B8 LTE-TDD:B34/B38/B39/B40/B41 传输速率: LTE-FDD(Mbps):10(下行)/5(上行) LTE-TDD(Mbps):7.5(下行)/1上行) | / | 4G LTE Cat 1 频段: LTE-FDD:B1/B3/B5/B8 LTE-TDD:B34/B38/B39/B40/B41 传输速率: LTE-FDD(Mbps):10(下行)/5(上行) LTE-TDD(Mbps):7.5(下行)/1上行) |
| Lora无线工作频段 | / | / | 410MHz~525MHz | / | / | 410MHz~525MHz |
| DI/DO | / | / | 6DI(无源)/ | / | / | 6DI(无源)/ |
| 4DO(无源) | 4DO(无源) |
| 调试接口 | Type-C调试口 |
| 电气性能 | GB/T17626.2-2018 静电放电抗扰度试验 4级 |
| GB/T17626.3-2016 射频电磁场辐射抗扰度试验 3级 |
| GB/T17626.4-2018 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验4级 |
| GB/T17626.5-2019 浪涌(冲击)抗扰度试验4级 |
| 协议支持 | 设备侧:ModbusRtu/TCP、DL/T645-97/07、DL/T698、CJT188-2004; |
| 主站侧:ModbusTCP(主、从)、MQTT协议; |
| 设备侧+主站侧:边缘计算(虚拟数据求和、数据二次计算、逻辑控制)等; |
| 支持安科瑞ACR、PZ、AMC、APM、ADW、AEW、DTSD等各系列型号仪表数据采集。 |